9月1日，A股存儲芯片板塊拉升，有方科技（688159.SH）上漲12.48%，燦芯股份（688691）上漲12.65%，全志科技（300458.SZ）上漲12.08%，兆易創(chuàng)新（603986.SH）、博杰股份（002975.SZ）、萬潤科技（002654.SZ）實現(xiàn)10CM漲停。

消息面上，韓國科學(xué)技術(shù)評估與規(guī)劃研究院（KISTEP）最新報告顯示，中國在半導(dǎo)體領(lǐng)域的主導(dǎo)地位已延伸至存儲芯片領(lǐng)域，超越韓國?；?024年對39位韓國半導(dǎo)體專家的調(diào)查，中國在存儲芯片技術(shù)方面已超過韓國，但韓國三星和SK海力士仍占據(jù)領(lǐng)先地位。目前，中國在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域排名第二，僅次于美國。

從“追趕”向“齊頭并進(jìn)”轉(zhuǎn)型

存儲芯片是一種利用半導(dǎo)體技術(shù)實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲的集成電路，核心功能是通過物理結(jié)構(gòu)變化（如電荷、磁性或電阻狀態(tài)）記錄和讀取二進(jìn)制數(shù)據(jù)，廣泛應(yīng)用于計算機、智能終端及工業(yè)控制等領(lǐng)域。

目前，中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)近年來在政策支持、技術(shù)突破和市場需求驅(qū)動下，正經(jīng)歷從“追趕”向“齊頭并進(jìn)”的關(guān)鍵轉(zhuǎn)型。

政策端，《“十四五”數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展規(guī)劃》首次將存儲芯片納入國家數(shù)字經(jīng)濟(jì)核心基礎(chǔ)設(shè)施，提出“突破高端存儲芯片設(shè)計技術(shù)”，推動企業(yè)提升自主研發(fā)能力；《“十四五”信息通信行業(yè)發(fā)展規(guī)劃》明確要求“提升存儲芯片國產(chǎn)化率”，為行業(yè)設(shè)定量化目標(biāo)，加速國產(chǎn)替代進(jìn)程；《算力基礎(chǔ)設(shè)施高質(zhì)量發(fā)展行動計劃》強調(diào)“突破存儲系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)”，支持存儲芯片與數(shù)據(jù)中心、邊緣計算等場景深度融合。

在政策支持下，我國存儲芯片核心技術(shù)加速迭代。其中，長江存儲已實現(xiàn)192層3D NAND量產(chǎn)，單位存儲密度提升40%，成本下降12%，并計劃在2026年推出294層堆疊的X4-9070芯片，接口速度達(dá)3600 MT/s；長鑫存儲DDR5產(chǎn)品性能與韓國企業(yè)持平，1β工藝良率突破 85%，2025年DRAM產(chǎn)能躍升至月產(chǎn)20萬片，全球份額從2024年的2%提升至5%。

相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2025年國內(nèi)存儲芯片市場規(guī)模預(yù)計突破1400億元，同比增長17.6%，顯著高于2024年的13.2%。到2030年，中國存儲芯片全球份額有望從當(dāng)前的10%提升至25%以上，成為全球增長最快的市場之一。

多細(xì)分賽道趕超韓國

中國市場的快增長，引起全球芯片行業(yè)的關(guān)注。

上述報告顯示，韓國給中國芯片相關(guān)細(xì)分賽道進(jìn)行了評分。其中，中國在高密度電阻式存儲器技術(shù)得分達(dá)94.1%，超過韓國的90.9%；在高性能低功耗人工智能半導(dǎo)體技術(shù)方面，中國得分88.3%，超過韓國的84.1%；在功率半導(dǎo)體方面，中國得分79.8%，大幅超過韓國的67.5%；在下一代高性能傳感技術(shù)方面，中國得分83.9%，而韓國為81.3%。兩國僅在先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域?qū)嵙ο喈?dāng)，基礎(chǔ)能力得分均74.2%。

評分不僅體現(xiàn)了中國在存儲芯片領(lǐng)域的快速進(jìn)步，也彰顯了其在全球芯片行業(yè)中的競爭力日益增強。尤為值得一提的是，在高密度電阻式存儲器、高性能低功耗人工智能半導(dǎo)體等關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域，中國的得分超越韓國，意味著中國在這些前沿技術(shù)上已經(jīng)具備了與國際頂尖水平相抗衡的實力。這不僅為中國芯片行業(yè)的發(fā)展注入了強大動力，也為全球芯片產(chǎn)業(yè)的多元化競爭格局帶來了新的變量。

同時，中國芯片企業(yè)在功率半導(dǎo)體和下一代高性能傳感技術(shù)等方面的顯著優(yōu)勢，進(jìn)一步鞏固了其在全球芯片產(chǎn)業(yè)鏈中的重要地位。這些領(lǐng)域的突破，不僅有助于提升中國芯片的整體性能和質(zhì)量，也為國內(nèi)外客戶提供了更多樣化、更高質(zhì)量的選擇。

根據(jù)當(dāng)前市場現(xiàn)狀，盡管美國實施出口限制，中國半導(dǎo)體公司市場份額仍在增加，技術(shù)差距逐漸縮小。中國存儲器制造商在DDR5內(nèi)存生產(chǎn)方面雖仍落后于三星、SK海力士和美光科技，但進(jìn)步顯著。

相關(guān)公司價值凸顯

根據(jù)同花順，目前，A股存儲芯片成分股有109只，板塊總市值達(dá)2.85萬億，上百家企業(yè)共同組成存儲芯片板塊，共同賦予板塊價值。

其中，有方科技的核心產(chǎn)品包括N5100存儲產(chǎn)品、NeoHyper 2500分布式全閃存存儲、NeoVast 2300分布式海量存儲系統(tǒng)。并與瑞馳信息（分布式存儲軟件）、大普微電子（企業(yè)級SSD主控芯片）簽署合作協(xié)議，聯(lián)合開發(fā)ARM高密度存儲服務(wù)器、陣列式AI服務(wù)器等產(chǎn)品。

據(jù)悉，公司2025年計劃推出基于Chiplet技術(shù)的HBM（高帶寬存儲）適配方案，切入AI服務(wù)器市場。

燦芯股份的存儲芯片板塊業(yè)務(wù)并非傳統(tǒng)意義上的存儲芯片制造，而是聚焦于存儲接口IP設(shè)計、控制器芯片定制及系統(tǒng)級解決方案開發(fā)。其分布式存儲服務(wù)器適配為新疆移動智算中心提供的NeoHyper 2500全閃存存儲系統(tǒng)，采用燦芯DDR4 IP實現(xiàn)3600 MT/s接口速度，配合NVMe-oF協(xié)議，4K隨機讀寫性能達(dá)1750K IOPS，滿足AI訓(xùn)練對高帶寬的需求；車規(guī)級存儲控制模塊為比亞迪智駕提供的車載存儲控制器，集成LPDDR4 IP與MRAM控制邏輯，支持L3級自動駕駛200GB/s 數(shù)據(jù)吞吐，通過AEC-Q100 Grade 2認(rèn)證，故障率低于10ppm。

兆易創(chuàng)新的存儲芯片業(yè)務(wù)以NOR Flash 為核心優(yōu)勢，NAND Flash和利基型DRAM為戰(zhàn)略增長點，形成覆蓋消費電子、汽車電子、工業(yè)控制等多領(lǐng)域的全棧解決方案。在NOR Flash方面，公司占據(jù)全球第二的技術(shù)壁壘與市場地位，產(chǎn)品容量從512Kb到2Gb，支持1.2V/1.8V/3V等多電壓規(guī)格，覆蓋高性能、低功耗、高可靠性三大方向。

兆易創(chuàng)新預(yù)計在2025年率先實現(xiàn)45nm SPI NOR Flash大規(guī)模量產(chǎn)，存儲密度提升30%，成本降低20%，成為全球少數(shù)掌握該工藝的廠商之一。